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標(biāo)題摘要內(nèi)容
半導(dǎo)體器件
來(lái)源: | 作者:精睿領(lǐng)先 | 發(fā)布時(shí)間: 2022-03-22 | 1517 次瀏覽 | 分享到:
對(duì)于傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件,主要通過(guò)執(zhí)行IV、CV表征,實(shí)現(xiàn)快速、精準(zhǔn)的全方位測(cè)量和分析功能。隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來(lái)越多,SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用于射頻,超高壓等領(lǐng)域,為適應(yīng)特高壓輸電,電動(dòng)汽車充電樁等超高壓應(yīng)用,寬禁帶材料一直是研究方向的熱點(diǎn)。