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半導(dǎo)體的檢測(cè)與分析是一個(gè)介于基礎(chǔ)研究與應(yīng)用研究之間的設(shè)計(jì)內(nèi)容很廣而又不斷蓬勃發(fā)展的領(lǐng)域，在半導(dǎo)體材料的研究中，電阻率，載流子密度和遷移率是測(cè)試的關(guān)鍵參數(shù)。目前對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行物理和化學(xué)研究的方法有很多，如透射電鏡、拉曼光譜、電化學(xué)C-V、X射線雙晶衍射等。